在半導(dǎo)體制造中，真空控制產(chǎn)品在各工藝步驟中起著至關(guān)重要的作用，確保了生產(chǎn)電子設(shè)備所需的真空條件的精確控制。在晶體生長過程中，電容真空計(jì)系列可以控制生長腔內(nèi)的工藝壓力，從而實(shí)現(xiàn)無缺陷硅晶體的生長。這種精確的壓力控制對于實(shí)現(xiàn)最佳的晶體生長至關(guān)重要，有助于提高半導(dǎo)體材料的品質(zhì)和純度。

    氧化/柵極介質(zhì)和離子注入

    電容真空計(jì)系列監(jiān)測工藝壓力，而皮拉尼真空計(jì)和冷陰極真空計(jì)則提供系統(tǒng)范圍內(nèi)的壓力控制。這種精細(xì)的調(diào)節(jié)對于獲得理想的材料特性和摻雜精度至關(guān)重要，而這些特性對半導(dǎo)體設(shè)備的性能至關(guān)重要。

    光刻

    在光刻工藝中，包括電容真空計(jì)和皮拉尼真空計(jì)，以及熱離子計(jì)和冷陰極，確保了工藝系統(tǒng)內(nèi)的精確壓力控制。真空組件確保了無泄漏的連接，有助于光刻工藝的穩(wěn)定性和精確性。

    刻蝕

    在刻蝕過程中，電容真空計(jì)調(diào)節(jié)工藝壓力以實(shí)現(xiàn)精確的材料去除。通過電容計(jì)、皮拉尼計(jì)、熱離子計(jì)和冷陰極的組合，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)范圍內(nèi)的壓力控制，確保了刻蝕的一致性和高工藝重復(fù)性。此外，光學(xué)氣體分析系統(tǒng)被用來監(jiān)測刻蝕過程中使用的氣體成分。這有助于確保工藝穩(wěn)定性并實(shí)現(xiàn)精確的材料去除。

    CVD、PVD、ALD、EPI和RTP

    在CVD、PVD、ALD、EPI和RTP等工藝中，監(jiān)測工藝壓力，而熱離子計(jì)、冷陰極和真空配件則有助于穩(wěn)定的系統(tǒng)壓力控制，提高了工藝均勻性和設(shè)備性能。